内存每秒的写入速度和读取速度一般是多少?
看几代条子
有333 400 533 这是DDR的
DDR2有667 800 1066
DDR3有 1333 1600 2132
但是现在目前好想只有1600的
数值越高频率越快
但是还要看你主板支持多少频率的!
你所说的读写速度应该指的是内存的传输带宽吧,及每秒传送多少M的数据给CPU,计算公式等于
频率X内存位宽/8
单通道即频率乘以8,双通道频率乘以16,懂了吧
硬盘有 8M/s 16M/S 32M/S 64M/S几种,数值越大越贵
DDR比SD快两倍?DDR2比DDR快两倍?DDR3比DDR2快两倍?
不是的。假如频率一样,不考虑延时的话,理论上DDR2和DDR3性能是完全一样的。如果考虑延时的问题,DDR3会比DDR2要慢。
内存有3个频率:内核频率、I/O物理时钟频率和等效时钟频率。
假设我们现在有两根内存,一根是DDR2-800,另一根是DDR3-800(估且假设是用我的KST PC1333降频下来的吧,呵~),我们来弄清楚它们各种频率和预读取位数之间的关系。
首先,800MHz指的是什么频率?是I/O等效时钟频率,相信这一点大家都无异义。
那么接下来,再来看物理时钟频率。DDR2、DDR3和DDR一样,都是延数据的上行与下行各传输一次数据,那么I/O物理时钟频率应当为800/2=400MHz。
接下来再来看被人最少提及的内核时钟频率。内核频率是显存颗粒真正的工作频率。并且,内核频率=物理频率/预读取位数。在弄清内核时钟频率之前,先了解一下预读取。预读取指一个时钟周期内,内存可以从逻辑BANK中读取多少位的数据。DDR是2位,DDR2是4位,DDR3是8位。换句话说,假如读出相同的数据量,DDR3的内核频率只需要是DDR2的一半。那么,DDR3的内核频率就变成400/8=50MHz,而DDR2则是400/4=100MHz。
OK,这样就应该知道DDR2和DDR3的区别了。
DDR2:内核频率100MHz,预读取位数4位,物理I/O频率是100*4=400MHz,有效频率是400*2=800MHz。
DDR3:内核频率50MHz,预读取位数8位,物理I/O频率是50*8=400MHz,有效频率是400*2=800MHz。
看看,DDR3内核频率这么低,实在是非常浪费的事。试试把它也做到100MHz看吧,于是,DDR3的频率就变成1600MHz。这样一来,DDR3-1600的性能不就是DDR2-800的两倍了么~~
那么对于DDR3-1333又是怎样?内核频率就变成1333/2/8=83MHz,还是比DDR2-800的内核频率要低,芯片即然降了频,那么内存电压也没必要做那么高了,也降一点,发热也降一点好了...
OK,最后讲一点延时,因为延时有很多种,比如像TRCD、TRP、TRAS、CAS等等等等(可能有十来种,一般主板BIOS里可以给你调的通常只有5、6种),就不一一解释了(其实我也记不清)。存内存诸数据,就像是二维表格(你可以认为是EXCEL表)。一根内存可能有一个到多个EXCEL表,我要从中内存中读取数据的话,先要找到存放这个数据的EXCEL表,然后再找到存储这个数据的行和列。那么实际上,内存读写器找到这个表格需要一定的时间,打开表格之后,读写器定位到这个行,需要时间,定位到这个列,也需要时间。像定位到表所需要的时间,就是一种延时,定位到行所需要的时间也是一种延时、定位到列也是种延时。再细分一点情况,可能读写头正好停在相临的一列上,只要稍微挪那么一点就能找到数据,那么又是种延时。读写头停在不同的EXCEL里,要从表A转到表B,又是种延时...当然,这里EXCEL表不叫EXCEL表,而叫做逻辑BANK,EXCEL的单元格叫做CELL,每个CELL能存放的数据量叫做数据深度...
OK,不管那么多复杂的术语了。来看看真实的情况。DDR2相对于DDR,预读取位数增加了,但很遗憾,延时也增加了。不讲为什么了,因为详情可以baidu得到。DDR3相对于DDR2,不好意思,延时又增加了...所以DDR3和DDR2频率一样的话,DDR3就会比DDR2要慢。
怎么看内存条上面的参数,比如是DDR2还是DDR3的?
怎么看内存条型号
内存ddr和ddr2有什么区别?
DDR2与DDR的区别
与DDR相比,DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下,可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比,在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲,DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心,但是它可以并行存取,在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。
DDR2与DDR的区别示意图
与双倍速运行的数据缓冲相结合,DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据,比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于,它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。
然而,尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样,但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存,因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样,DDR2的针脚数量为240针,而DDR内存为184针;其次,DDR2内存的VDIMM电压为1.8V,也和DDR内存的2.5V不同。
DDR2的定义:
DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR2与DDR的区别:
在了解DDR2内存诸多新技术前,先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。
1、延迟问题:
从上表可以看出,在同等核心频率下,DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说,虽然DDR2和DDR一样,都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说,在同样100MHz的工作频率下,DDR的实际频率为200MHz,而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题:在同等工作频率的DDR和DDR2内存中,后者的内存延时要慢于前者。举例来说,DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟,而后者具有高一倍的带宽。实际上,DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽,它们都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作频率是200MHz,而DDR2-400的核心工作频率是100MHz,也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量:
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,DDR2可以获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形剑�庵址庾靶问娇梢院芎玫墓ぷ髟?00MHz上,当频率更高时,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式,FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压,相对于DDR标准的2.5V,降低了不少,从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的。
DDR2采用的新技术:
除了以上所说的区别外,DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD(Off-Chip Driver):也就是所谓的离线驱动调整,DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。
ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。
Post CAS:它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中,CAS信号(读写/命令)能够**到RAS信号后面的一个时钟周期,CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(Additive Latency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期,因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说,DDR2采用了诸多的新技术,改善了DDR的诸多不足,虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足,但相信随着技术的不断提高和完善,这些问题终将得到解决
ddr2和ddr3的传输速率对比?
DDR2 传输速率 为 800HZDDR3 传输速率 为 1333HZ 用起来的话基本 没什么区别......
SDRAM DDR DDR2的详细性能指标
DDR2/DDR II(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR2与DDR的区别:
1、延迟问题:
从上表可以看出,在同等核心频率下,DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说,虽然DDR2和DDR一样,都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说,在同样100MHz的工作频率下,DDR的实际频率为200MHz,而DDR2则可以达到400MHz。
这样也就出现了另一个问题:在同等工作频率的DDR和DDR2内存中,后者的内存延时要慢于前者。举例来说,DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟,而后者具有高一倍的带宽。实际上,DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽,它们都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作频率是200MHz,而DDR2-400的核心工作频率是100MHz,也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。
2、封装和发热量:
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,DDR2可以获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式,这种封装形式可以很好的工作在200MHz上,当频率更高时,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式,FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压,相对于DDR标准的2.5V,降低了不少,从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的。
DDR2采用的新技术:
除了以上所说的区别外,DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD(Off-Chip Driver):也就是所谓的离线驱动调整,DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。
ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。
Post CAS:它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中,CAS信号(读写/命令)能够**到RAS信号后面的一个时钟周期,CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(Additive Latency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期,因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
采用双通道运行,速度是DDR的2倍。
总的来说,DDR2采用了诸多的新技术,改善了DDR的诸多不足,虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足,但相信随着技术的不断提高和完善,这些问题终将得到解决。
写入速度和读取速度分别是指什么?
写入速度和读取速度都是指对存储设备进行数据操作时的速度,或者是所需要时间的长短,它们的意思是:
写入速度主要是将外部数据记录到存储设备中去时的速度,可以理解成为是相当于粘贴的速度。
读取速度是指将存储设备中的数据提取出来的操作速度,可以理解成为是相当于复制的速度。
在电脑中比较重要的存储设备为内存,其存储速度一般用存取时间衡量,即每次与CPU间数据处理耗费的时间,以纳秒(ns)为单位。目前大多数SDRAM内存芯片的存取时间为5、6、7、8或10ns。
固态硬盘一般的读取速度和写入速度是多少
SSD分不同的价位、容量、以及性能来区分,有好几种情况(只列举几个比较常见,也容易对比的SSD固态硬盘),如:1、金士顿——常规的,读(500MB/S)以上,写(400MB/S)以上,好点的,读(1500MB/S)以上,写(800MB/S)以上,对于软件的打开速度与电脑的开机速度等都有明显的提升。(缺点:就是没缺点,价格和性能都算适中,符合大部分人的需求)2、西部数据——常规的(绿盘,最实惠的,适合家庭计算机等),读(450MB/S)以上,写(400MB/S)以上,好点的(蓝盘,适合有需求的办公电脑,和小型机等),读(550MB/S)以上,写(500MB/S)以上,再好点的(黑盘,适合有高效率需求的办公电脑,专业游戏电脑,和服务器等,及软件开发人员,体验“飞”一般的感觉),读(3000MB/S)以上,写(1600MB/S)以上,对于软件的打开速度与电脑的开机速度等都很大的提升,完全不一样的感觉好不,感觉每次用电脑心情都是舒畅的~(缺点:价格稍微贵点,但价格和性能都还算合适)3、三星——常规(850)的,读(520MB/S)以上,写(500MB/S)以上,好点(970 evo plus)的,读(3300MB/S)以上,写(3000MB/S)以上,对于软件的打开速度与电脑的开机速度等都有很大的提升(缺点:太贵)。4、普通的SSD(不细说牌子了)——读(300MB/S)以上,写(100MB/S)以上,这个是最低廉的SSD,聊胜于无,对于软件的打开速度与电脑的开机速度等都没有太大的提升。但如果家用电脑(预算较低)的话,可以选择,相对会比较划算(缺点:对电脑性能提升不太大)。注1【重点】:同一种SSD固态,容量越大,速度越快。(比如:主控相同的同品牌两款SSD,一款是128G的,一款是256G的。两款SSD使用的都是单片容量为16G的闪存芯片,那么128G的SSD就需要128/16=8片闪存芯片,256G的SSD就需要256/16=16片闪存芯片。众所周知,SSD读写速度之所以快,就在于其读写时,是将数据分散同时读写多个闪存芯片的。显然,有16片闪存芯片的256G产品由于可以同时读写更多地闪存芯片,速度就比只有8片闪存芯片的128G产品速度快了)注2【了解】:以上仅为个人观点,仅供参考。因是做软件开发的(个人装的西部数据的黑盘,测试出来IO速度为——读(3200MB/S)多一点,写(2600MB/S))浮动,身边的人都对电脑性能有一定的要求,也都装了固态SSD,相对了解的多那么一点。如果不小心帮到了您,请留下个“赞”再走~
ddr2和ddr3的区别
DDR3时代
DDR3相比起DDR2有更低的工作电压, 从DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够达到2000Mhz的速度,尽管目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度,但是DDR3内存模组仍会从1066Mhz起跳。
DDR3在DDR2基础上采用的新型设计:
1.8bit预取设计,而DDR2为4bit预取,这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
2.采用点对点的拓朴架构,以减轻地址/命令与控制总线的负担。
3.采用100nm以下的生产工艺,将工作电压从1.8V降至1.5V,增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能。
DDR3与DDR2几个主要的不同之处 :
1.突发长度(Burst Length,BL)
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。
2.寻址时序(Timing)
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2~5之间,而DDR3则在5~11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0~4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3还新增加了一个时序参数--写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。
3.DDR3新增的重置(Reset)功能
重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。 在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。
4.DDR3新增ZQ校准功能
ZQ也是一个新增的脚,在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集,通过片上校准引擎(On-Die Calibration Engine,ODCE)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后,将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期,在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
5.参考电压分成两个
在DDR3系统中,对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号,即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ,这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。
6.点对点连接(Point-to-Point,P2P)
这是为了提高系统性能而进行的重要改动,也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中,一个内存控制器只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能有一个插槽,因此,内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P)的关系(单物理Bank的模组),或者是点对双点(Point-to-two-Point,P22P)的关系(双物理Bank的模组),从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面,与DDR2的类别相类似,也有标准DIMM(台式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(笔记本电脑)、FB-DIMM2(服务器)之分,其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2(高级内存缓冲器)。 面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势,此外,由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能,在功耗方面DDR3也要出色得多,因此,它可能首先受到移动设备的欢迎,就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域,DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake),其将支持DDR3规格,而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。
内存卡读写速度和写入速度有什么区别
内存卡的读取和写入速度不一致,是因为内存卡本身的物理特性决定的。
在读取时,不需要额外的操作,就可以以块为单位读取,其时间主要消耗在寻址和等待数据稳定方面,所以速度快。
在写入时,可能有两种情况:
一种是只改写一个块的一部分,这时要先把待写入数据所用的数据区整个读出来,再将新旧数据合并,然后再统一将一个块区的数据写入所在的块。而且写入操作会需要更长的时间。
另外一种情况是整个块都要改,这种情况下会直接将新数据写入所在的块,这种情况速度较第一种会快。
因此,操作原理的不同,导致了读写速度的差异。
对于内存卡来说,通常使用Class表示写入速度(读取速度不同的产品差异较小)Class等级是按固定写8KB大小的文件计算的:
Class4 即8KB文件写入为4MB每秒,Class10 是8KB文件写入为10MB每秒,所以,一般Class几,8K文件的写入速度就是几MB每秒。
总容量一样,但文件数量不同的两批文件,数量少的文件写入速度更快,而数量很多的文件,其写入速度要比数量少的慢很多。
以上就是内存每秒的读写速度一般是多少?的相关介绍,希望能对你有帮助,如果您还没有找到满意的解决方式,可以往下看看相关文章,有很多内存每秒的读写速度一般是多少?相关的拓展,希望能够找到您想要的答案。