技嘉m52l s3 主板 怎么在bios里面设置更改主次硬盘 原希捷160G硬盘 加一个1T希捷硬盘

你懂电脑硬件吗？懂的话，好好检查一遍，这是不需要在bios里面设置的，那是老机才要的步骤……

电脑主机可以装多大的内存和主板有关系吗？

是的，基本上只和主板有关，举个例子，假如cpu支持最大32g内存，主板只支持16g，那么你最大只能用16g
服务器也差不多，有些高端cpu支持1T内存，但主板可能只支持512g，那么你最大只能用512g内存

这么解释并不严格，但实际运用中差不多就这么一回事
更新：现在主流产品的内存控制器已经集成在cpu里，未来10年内应该不会出现主板支持内存比cpu支持内存还大的情况了，所以这个解释可以算严格的了

amd am2的主板AM2是什么意思？

AM2是AMD的最新接口 为了统一闪龙和速龙还有FX的平台
AM2接口的Athlon处理器仍然将采用90nm工艺进行制造，接口将从939针转换到新的AM2 940针，而核心架构没有任何改变。仅有的不同是对内存的支持——从仅支持DDR内存改变为仅支持DDR2内存。
其针脚是940个针脚，是AMD今年发布用来对抗Intel的新武器，其优点是支持了DDR2代的内存，并且支持双通道内存管理，而且还把内存控制器集成到了CPU当中，使CPU不用访问总线就可以和内存直接交换信息。

调整内存频率 主板bios如何设置

启动微星主板BIOS简易调节，内存频率调节，开启虚拟机VT模式

为什么我厂的半干法脱硫（NID）装置开起来就冒黄烟？不开就没事？求教各位专业技术达人。

额只能说是脱硫装置的尾段处理有问题 黄烟就是脱出来的硫。硫脱出来没有加以回收或收集或收集管道出问题了

BIOS内存设置里有一项 DRAM Command Rate 为2T 还是1T

2就行1确实有一点提高，不过稳定性会大打折扣，尤其是现在的内存颗粒良莠不齐

BIOS中内存频率如何设置？

1、首先在开启的电脑的时候，不断按键盘上的DELETE键，进入BIOS。2、如果对于英语不是特别懂，可以在System界面下切换语言。3、然后在M.I.T界面下选择高级内存设置。4、然后打开内存频率设置的总开关（Extreme Memory Profile（X.M.P.））。5、然后将性能加强模式更改为强化稳定性。6、然后根据自己的实际需要调整内存倍频调整，就完成了。

电脑高手们 请教下BIOS里面内存设计1T和2T有什么区别 改为哪个好 最好详细点

1T和2T代表内存命令周期，通常跟内存的时序配合的，表示CPU的一个时钟命令内存刷新多少次。
大部分内存只能工作在2T下面。1T对内存要求比较高，但是可以显著改善内存速度。

怎样在BIOS中设置内存条的CL（时序）

FSB/MEM比率 实际运行频率 1/1 200MHz 1/2 100MHz 2/3 133MHz 3/4 150MHz 3/05 120MHz 5/6 166MHz 7/10 140MHz 9/10 180MHz 对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1是使性能最佳的选择。而其他的设置都是异步的。同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所以，DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系 强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。内存时序设置 内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。 涉及到的参数分别为： CPC : Command Per Clock tCL : CAS Latency Control tRCD : RAS to CAS Delay tRAS : Min RAS Active Timing tRP : Row Precharge Timing tRC : Row Cycle Time tRFC : Row Refresh Cycle Time tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) tWR : Write Recovery Time ……及其他参数的设置 CPC : Command Per Clock 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，CPC越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。tCL : CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。 内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。 该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。tRCD : RAS to CAS Delay 可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。 该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS to CAS Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。

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